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실리콘

Silicon Part
실리콘의 개요
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반도체소자 재료로서 광범위하게 사용되는 실리콘(Silicon)은 산화물인 SiO₂의 형태로
모래, 암석, 광석등에 풍부하게 존재하고 있어 매우 안정적으로 반도체 산업에
공급될 수 있는 우수한 재료입니다.
실리콘은 정제과정을 거쳐 99.9999…%의 초고순도 단결정 구조를 갖고, 온도 변화에
따른 물리적, 기계적 성질변화가 적어 비교적 고온 (약 200℃ 정도까지) 에서도 소자가
동작하는 등 강력한 내구성, 고기능성, 고신뢰성을 가지고 있습니다.
현재 반도체 산업에서 다양한 형태로 이용되며 실리콘을 이용해 제조된 부품들은
각종 전자제품, 사업 자동화 기계, 컴퓨터, 인공위성 등 오늘날 전 산업 분야에
영향을 미치고 있습니다.
재질적 특성
초고순도의 단결정 구조를 갖는다.
실록산(규소-산소)사슬은 탄소-산소의 결합에너지 보다 훨씬 강하므로, 온도변화에 따른 물리적 기계적 성질변화가 적은
장점으로 인하여 비교적 고온(약 200℃ 정도까지)에서도 소자가 동작할 수 있는 장점이 있다.
자원이 풍부하다
Silicon은 지구상에서 산소 다음으로 많이 존재하는 원소이다.
고순도화 하기가 쉽다
단결정화와 불순물 첨가량을 조정하여 저항율 제어가 용이하다
주요경쟁력
구분 내용
품질
  • - 정기적으로 검/교정된 첨단 3차원 측정장비를 활용한 최상의 제품관리
  • - PAMS 장비를 활용한 제품 Particle 제어
  • - 10 Class 이상의 Crean -room 에서 최종 포장을 통한 순도관리
기술
  • - 초정밀 머시닝센터 및 독자개발 장비를 이용한 자동화 생산
  • - Damage depth 측정기술을 통한 과학적 공정설개
  • - Lapping, Polsing, Etching 공정의 독보적인 공정기술력 확보
가격
  • - 자체 소재 Growing 을 통한 원가경쟁력 확보
  • - Solar 사업에 의한 강화된 Growing 공정기술 보유
생산제품소개
SKC solmics㈜는 래핑, 폴리싱과 엣칭부분의 독보적인 기술력을 바탕으로 국내 Si Spare Part 중 Cathode, Ring type의
상당부분을 생산하고 있습니다
실리콘(Si)가공을 위한 주요 기술
품명 기술내용
소재기술 고순도의 소재를 결함없이 생산하는 소재 Growing 기술은 Solar 사업과 함께
당사의 실리콘 핵심기술 중 하나입니다.
가공기술 실리콘 소재는 모든 형상가공 공정에서 소재 깊이 방향으로 Damage가 발생합니다.
이 Damage를 최소화 하는 조건에서 최적의 공정조건을 확보하는 것이 중요합니다.
Damage 분석 기술 및 Tool개발, 공정조건 개발을 통하여 최상의 실리콘 가공기술을
확보하고 있습니다.
에칭기술 가공에 의해 발생된 표면 Damage를 효과적으로 제거해 주거나
표면 광택을 형성시키는 기술로 3차원 형상에 대응 가능한 소재 및 제품별 Etching
기술을 개발 및 보유하고 있습니다.
실리콘(Si) 파트의 주요 제품
품명 제품용도 및 설명
Si Focus Ring 플라즈마가 형성된 후에 챔버(Chamber)내에서 플라즈마가 정확한 위치로
모여 지도록 하는 역할을 한다.
Si Edge Ring Wafer를 정확히 위치시키는(Align) 역할과 Si Focus Ring의 보조기능을 수행하여
플라즈마를 안정화하는 역할을 한다.
Si 전극 Si Wafer의 표면에 각종 가스를 일정하게 분사시켜 주는
Wafer표면처리 역할을 하는 제품이다.
기타 주요제품 Si Source Ring, Si Inner Ring, Si Slab, Si Heat Shield..etc
물성표
Purity(%) 순도 >8N
Load0.5Kg HV1=9.807N Vickers Hardness(GPa) 비커스경도 10.2
Thermal Conductivity(W/mK)열전도 25℃ : 120
Specific Heat([RT]J/kg.K)비열 0.6
Thermal Expansion(x10-6/°C) 열팽창계수 25~400℃ : 3.5
25~800℃ : 3.9
Volume Resistivity(Ω. ㎝)체적고유사항 저지항 : <0.02Ω. ㎝
일반저항 : 1~5Ω. ㎝
고저항 : 60~90Ω. ㎝