구분 | 내용 |
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품질 |
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기술 |
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가격 |
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품명 | 기술내용 |
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소재기술 |
고순도의 소재를 결함없이 생산하는 소재 Growing 기술은 Solar 사업과 함께 당사의 실리콘 핵심기술 중 하나입니다. |
가공기술 |
실리콘 소재는 모든 형상가공 공정에서 소재 깊이 방향으로 Damage가 발생합니다. 이 Damage를 최소화 하는 조건에서 최적의 공정조건을 확보하는 것이 중요합니다. Damage 분석 기술 및 Tool개발, 공정조건 개발을 통하여 최상의 실리콘 가공기술을 확보하고 있습니다. |
에칭기술 |
가공에 의해 발생된 표면 Damage를 효과적으로 제거해 주거나 표면 광택을 형성시키는 기술로 3차원 형상에 대응 가능한 소재 및 제품별 Etching 기술을 개발 및 보유하고 있습니다. |
품명 | 제품용도 및 설명 |
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Si Focus Ring |
플라즈마가 형성된 후에 챔버(Chamber)내에서 플라즈마가 정확한 위치로 모여 지도록 하는 역할을 한다. |
Si Edge Ring |
Wafer를 정확히 위치시키는(Align) 역할과 Si Focus Ring의 보조기능을 수행하여 플라즈마를 안정화하는 역할을 한다. |
Si 전극 |
Si Wafer의 표면에 각종 가스를 일정하게 분사시켜 주는 Wafer표면처리 역할을 하는 제품이다. |
기타 주요제품 | Si Source Ring, Si Inner Ring, Si Slab, Si Heat Shield..etc |
Purity(%) 순도 | >8N |
Load0.5Kg HV1=9.807N Vickers Hardness(GPa) 비커스경도 | 10.2 |
Thermal Conductivity(W/mK)열전도 | 25℃ : 120 |
Specific Heat([RT]J/kg.K)비열 | 0.6 |
Thermal Expansion(x10-6/°C) 열팽창계수 |
25~400℃ : 3.5 25~800℃ : 3.9 |
Volume Resistivity(Ω. ㎝)체적고유사항 |
저지항 : <0.02Ω. ㎝ 일반저항 : 1~5Ω. ㎝ 고저항 : 60~90Ω. ㎝ |